Le dopage des semi-conducteurs: Explication

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Le dopage de semi-conducteurs pour modifier les propriétés électriques et de l'utilisation de celui-ci


Sous le dopant, on entend l'introduction d'atomes étrangers dans un semi-conducteur, tels que le silicium. Pour ce faire, la structure cristalline, mais en général de changer la conductivité électrique de la substance ciblée. Il existe deux types, le dopage n et le dopant de type p. Dans le premier, un donneur d'électrons et un accepteur d'électrons à la seconde est introduit. Les éléments du troisième groupe principal sont utilisées comme accepteurs et des éléments du cinquième groupe principal sont adaptés titre de donneur pour le semi-conducteur typique à base de germanium ou de silicium. Normalement, le Halbleiterkirstall est occupée en un point quelconque de son réseau par des atomes ayant le même nombre d'électrons externes et sont reliés les uns aux autres à ce sujet et formant la structure cristalline. Si aujourd'hui l'un de ces atomes est échangé pour un autre se pose à un élément de groupe principal plus un électron libre et un élément du groupe principal inférieur appelé un électron de faille ou défaut positif flottant, il se déplace avec un courant appliqué face à l'électron.

Méthode
Le rapport quantitatif entre les atomes et les atomes d'impuretés situées dans le semi-conducteur dopé entre 1: 1 et 10-6: 10-9. Il ya quatre processus de dopage différent. La plus commune est le rejet de contaminants directement avec la discipline de monocristaux semi-conducteurs. Vous pouvez obtenir un dopage produisent également l'alliage. Ceci est possible par la poursuite de la diffusion et de l'implantation d'ions. Un procédé particulier est le dopage de la transmutation de neutrons, dans lequel le semi-conducteur est bombardé avec des neutrons ciblées et décomposer les isotopes ainsi produites et pour abaisser les éléments ainsi maintenu une impureté.

Utilisation
Est utilisé, le dopage dans la production de cartes de circuits imprimés pour les pièces d'ordinateur. Semi-conducteurs dopés sont présents dans presque tous les appareils électroniques modernes utilisent parce qu'ils ont peu de perte d'énergie en raison de leur faible et en baisse lorsque la température augmente la résistance électrique. Dans l'électronique, différents niveaux de dopage sont nécessaires, ce est divisé en dopage fort, moyen et faible. En outre, il est utilisé avec du phosphore ou du bore dopé au dioxyde de silicium pour planariser la plaquette. L'application la plus importante est la production de diodes et les transistors sont combinés en couches en alternance avec le n-p et le dopage.

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